半导体材料
区熔硅单晶硅片
宣布日期:2019-12-02 点击次数:3488

区熔硅单晶

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本征及超高阻区熔硅单晶(FZ-Silicon)

经过进程区熔工艺拉制的低杂质含量、低缺点密度,晶格结构完善的硅单晶,晶体发展进程中不引入任何杂质,其电阻率凡是在1000Ω?cm 以上,重要用于建造高反压器件和光电子器件。

中子辐照区熔硅单晶(NTDFZ-Silicon)

本征区熔硅单晶经过进程中子辐照可获得高电阻率均匀性的硅单晶,保证了器件建造的制品率和一致性。重要用于建造硅整流器(SR)、可控硅(SCR)、巨型晶体管(GTR)、晶闸管(GRO)、静电感应晶闸管(SITH)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、超低压二极管(PIN)、 智能功率器件(SMART POWER)、功率集成器件(POWER IC)等,是各类变频器、整流器、大功率控制器件、新型电力电子器件的主体功效材料,也是多种探测器、传感器、光电子器件和特别功率器件等的主体功效材料。

气相掺杂区熔硅单晶(GDFZ-Silicon)

操纵杂质的分散机理,在用区熔工艺拉制硅单晶的进程中插手气相杂质,从根柢上解决了区熔工艺掺杂坚苦的题目,可获得N型或P型、电阻率范围0.001-300Ω.cm,电阻率均匀性与中子辐摄影当的气掺硅单晶,其电阻率在适用于建造各类半导体功率器件、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、高效太阳能电池等。

直拉区熔硅单晶(CFZ-Silicon)

采取直拉与区熔两种工艺相连系的体例拉制硅单晶,产物质量介于直拉单晶和区熔单晶之间。可掺入特别元素例如镓(Ga)、锗(Ge)等。采取直拉区熔法制备的新一代CFZ太阳能硅片,其各项性能指标均远优于当前全球光伏财产利用的各类硅片,太阳能电池转换效力高达24-26%。产物重要利用于特别结构、背接触、HIT等特别工艺建造的高效太阳能电池上,并更加普遍的用于LED、功率器件、汽车、卫星等众多产物和范围中。


区熔硅单晶规格

FZ monocrystalline silicon specification

单晶种类

导电类型

晶向

直径(mm)

电阻率(Ω·cm)

高阻

N&P

<100>&<111>

76.2-200

>1000

中子辐照(NTD)

N

<100>&<111>

76.2-200

30-800

直拉区熔(CFZ)

N&P

<100>&<111>

76.2-200

1-50

气相掺杂(GD)

N&P

<100>&<111>

76.2-200

0.001-300



硅片规格

Wafer specification


直径(mm)

厚度(um)

硅片

76.2-200

≥160


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