半导体材料
抛光片
宣布日期:2019-12-02 点击次数:2651

抛光片

paoguangpian.jpg

FZ抛光片规格

FZ polished wafers Specifications


品种

导电类型

晶向

直径范围(mm)

电阻率范围(Ω.cm )

几何参数、颗粒度

及概况金属

本征及超高阻区熔硅

抛光片(FZ)

N&P

<100>&<111>

76.2-200

>1000

T≥260(μ m)

TTV≤2(μ m)

TIR≤2(μ m)

STIR≤1 (μ m)(20*20)

颗粒度≤10pcs(≥0.3um),

≤20pcs(≥0.2um)

概况金属≤ 5E10/cm2

BSD密度>1E106个/cm2

         Poly:5000-12000 ?

中子辐照区熔硅抛光片(NTDFZ)

N

<100>&<111>

76.2-200

30-800

直拉区熔硅抛光片

(CFZ)

N&P

<100>&<111>

76.2-200

1-50

气相掺杂区熔硅抛光片(GDFZ)

N&P

<100>&<111>

76.2-200

0.001-300

本征及超高阻区熔硅

抛光片(FZ)

N&P

<100>&<111>

76.2-200

>1000

T≥260(μ m)

TTV≤2(μ m)

TIR≤2(μ m)

STIR≤1 (μ m)(20*20)

颗粒度≤10pcs(≥0.3um),

≤20pcs(≥0.2um)

概况金属≤ 5E10/cm2

BSD密度>1E106个/cm2

Poly:5000-12000 ?

中子辐照区熔硅抛光片(NTDFZ)

N

<100>&<111>

76.2-200

30-800

直拉区熔硅抛光片

(CFZ)

N&P

<100>&<111>

76.2-200

1-50

气相掺杂区熔硅抛光片(GDFZ)

N&P

<100>&<111>

76.2-200

0.001-300

CZ抛光片规格

CZ polished wafers Specifications 

品种

导电类型

晶向

直径范围(mm)

电阻率范围(Ω.cm)

几何参数、颗粒度

及概况金属

磁场直拉硅抛光片(MCZ)

N&P

<100>

<110>&<111>

76.2-200

1-300

T≥260(μ m)

TTV≤2(μ m)

TIR≤2(μ m)

STIR≤1 (μ m)(20*20)

颗粒度≤10pcs(≥0.3um),≤20pcs(≥0.2um)

概况金属≤5E10/cm2

BSD密度>1E106个/cm2

LTO:3500~8000±250?

直拉硅单晶抛光片(CZ)

N&P

<100>

<110>&<111>

76.2-200

1-300

直拉重掺硅抛光片

N&P

<100>&<111>

76.2-200

0.001-1


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